Ahorran transistores consumo de energía
La empresa Advanced Micro Devices (AMD), presentó el diseño de sus transistores de próxima generación que constan de Silicón en Insulador (SOI), a partir de la generación de tecnología de 45 nodos (nm), durante la Reunión Internacional de Dispositivos de Electrón 2003.
Redacción:
Para el vicepresidente de Desarrollo de Proceso Tecnológico de AMD, Craig Sander, la nueva generación de transistores SOI incorporan todos los niveles de innovación de AMD en un solo diseño. “Es un logro importante y es parte de una investigación crítica que permite a AMD seguir cumpliendo con las necesidades de nuestros clientes de bajar el consumo de energía sin perder su alto desempeño, tanto hoy como en el futuro", advirtió.
La firma diseñadora y productora de microprocesadores, dispositivos de memoria Flash y servicios de sistemas en chip para computadoras, comunicaciones e industrias de consumo electrónico, espera ofrecer con esto soluciones confiables que se presentarán a partir de la generación de tecnología de 45 nm.
El Mapa Tecnológico Internacional para Semiconductores pronostica que las puertas del transistor, la parte primaria del mecanismo, que prenden y apagan su flujo de electricidad, necesitan ser de 20 nm como máximo para optimizar su desempeño en la generación de 45 nm.
Sin embargo, las puertas más pequeñas en transistores de alto desempeño de AMD son de 50 nm.
Por ello reducir agresivamente el tamaño de las puertas del mecanismo es fundamental para el desempeño del mismo.
El nuevo transistor usa tres puertas en lugar de una, incorpora adecuaciones para permitir una continua escalabilidad en su puerta al bajar más allá de 20 nm, dispone de mayor velocidad y menos fuga de electricidad, aunado a que no utiliza material dieléctrico de puerta "high-k", el cual puede acarrear efectos negativos al desempeño del transistor.
Fuente: Sinergia empresarial
www.sinergiaempresarial.com.mx
