aerial25
28-11-2003, 12:45
Intel ha comenzado a probar chips con memoria SRAM (RAM estática), que contienen transistores desarrollados con tecnología de proceso de 65 nanómetros, la próxima generación de chips de Intel después de los de 90 nanómetros.
Los microprocesadores dotados con esta tecnología no estarán listos antes de 2005, y hasta entonces Intel los utilizará para probar su tecnología de proceso, ya que según la compañía con estos procesadores de 65 nanómetros es más fácil resolver los problemas que se plantean al probarlos.
Los nuevos chips se integrarán en las próximas versiones de productos de la gama Pentium 4 y Xeon, y mientras tanto los productos con tecnología de proceso de 90 nanómetros de Intel saldrán a la calle en pocas semanas.
La generación de chips de 65 nanómetros utilizará las interconexiones de silicio estirado y cobre que Intel ha utilizado en los de 90 nanómetros.
Utilizar silicio estirado forma parte de una técnica de fabricación en la que una capa de germanio silicio se deposita sobre otra capa de silicio. Los átomos de cada sustancia buscan reunirse entre sí de forma natural, lo que compacta el silicio y permite que quepan más electrones de los que serían habituales utilizando sólo silicio. En los chips de 65 nanómetros, Intel utilizará ocho capas de interconexiones de cobre y un nuevo material conductor que reducirá el consumo de energía.
Los microprocesadores dotados con esta tecnología no estarán listos antes de 2005, y hasta entonces Intel los utilizará para probar su tecnología de proceso, ya que según la compañía con estos procesadores de 65 nanómetros es más fácil resolver los problemas que se plantean al probarlos.
Los nuevos chips se integrarán en las próximas versiones de productos de la gama Pentium 4 y Xeon, y mientras tanto los productos con tecnología de proceso de 90 nanómetros de Intel saldrán a la calle en pocas semanas.
La generación de chips de 65 nanómetros utilizará las interconexiones de silicio estirado y cobre que Intel ha utilizado en los de 90 nanómetros.
Utilizar silicio estirado forma parte de una técnica de fabricación en la que una capa de germanio silicio se deposita sobre otra capa de silicio. Los átomos de cada sustancia buscan reunirse entre sí de forma natural, lo que compacta el silicio y permite que quepan más electrones de los que serían habituales utilizando sólo silicio. En los chips de 65 nanómetros, Intel utilizará ocho capas de interconexiones de cobre y un nuevo material conductor que reducirá el consumo de energía.